優(yōu)爾鴻信檢測實驗室具備非破壞性、破壞性及半破壞性全類型檢測能力，涵蓋 3D X-Ray、C-SAM、場發(fā)射掃描電鏡、FIB、離子束切割、工業(yè)CT 等核心設(shè)備，可精準(zhǔn)檢測焊點質(zhì)量、PCB 缺陷、封裝內(nèi)部問題等，兼顧外觀與深層分析，為電子元件可靠性提供全面技術(shù)支撐。

聚焦離子束（Focused Ion Beam，簡稱FIB）是一種的材料加工和分析技術(shù)，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造、生物學(xué)等多個領(lǐng)域。FIB設(shè)備通過將高能離子束聚焦到樣品表面，進(jìn)行微納加工和分析。其結(jié)合了聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）的功能，形成了FIB-SEM技術(shù)，實現(xiàn)對材料微觀結(jié)構(gòu)的高分辨成像、局部取樣和三維重建。

FIB離子束的用途

FIB設(shè)備中的離子源產(chǎn)生高能離子束，常見的離子源是液態(tài)金屬離子源（LMIS），尤其是使用Ga?離子的顯微鏡應(yīng)用。通過電場和磁場的控制，離子束被聚焦并精確掃描到樣品表面。

樣品加工：

高能離子束與樣品表面相互作用，通過濺射效應(yīng)去除樣品表面的原子，實現(xiàn)納米級加工。

離子束還可以用于誘導(dǎo)沉積，在樣品表面沉積特定材料。

成像和分析：

同時，FIB設(shè)備通常配備掃描電子顯微鏡（SEM），用于對樣品進(jìn)行高分辨率成像。

通過捕獲二次電子等信號，SEM可以獲取樣品表面的形貌信息。

FIB在失效分析中的應(yīng)用

芯片截面分析：

FIB可以以納米級的精度對芯片進(jìn)行截面切割，發(fā)現(xiàn)芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)缺陷。

結(jié)合SEM成像，可以清晰觀察芯片內(nèi)部的層次結(jié)構(gòu)和材料分布。

電路修改和修復(fù)：

FIB技術(shù)可用于電路的精確修改，如切斷故障電路、沉積新材料修復(fù)電路等。

這在PCB板的失效分析和修復(fù)中具有重要意義，特別是對于復(fù)雜的多層PCB板。

TEM樣品制備：

TEM（透射電子顯微鏡）需要非常薄的樣品，通常約為100納米或更薄。

FIB設(shè)備可以精確選擇樣品上的特定區(qū)域，進(jìn)行納米級切割，制備滿足TEM要求的樣品。

三維重構(gòu)：

利用FIB-SEM技術(shù)，可以對樣品進(jìn)行連續(xù)切片和成像，構(gòu)建樣品的三維模型。

這有助于更深入地了解樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能。